В Институте физики металлов УрО РАН разработана технология синтеза металлических эпитаксиальных наноструктур из чередующихся нанотолщинных ферромагнитных и немагнитных слоев, обладающих гигантским магниторезистивным эффектом (ГМРЭ). Управляемое неколлинеарное магнитное упорядочение соседних ферромагнитных слоев обеспечивает большую величину ГМРЭ и линейное магнитосопротивление в широком диапазоне магнитных полей.

Разработаны и изготовлены совместно с НПО «Автоматики» (г. Екатеринбург) широкодиапазонные магнитные сенсоры, имеющие величину ГМРЭ до 20% при комнатной температуре и линейное магнитосопротивление в полях до 40 кЭ, и высокочувствительные магниторезистивные датчики (патент РФ), обеспечивающие повышение точности измерений в устройствах неразрушающего контроля, тахометрах, магнитометрах, при учете электроэнергии.