Разработка связана с созданием высокоэффективных светоизлучающих устройств на основе полупроводниковых тонких пленок и наноструктур ZnSe и ZnS в пористой матрице Al₂O₃. Миниатюрные и сверхминиатюрные источники излучения с высокоэффективными электролюминофорами на основе наночастиц широкозонных полупроводников, обладающих уникальными свойствами, представляют особый интерес для создания новых высокоэффективных источников света. для создания источников использованы методы термического и магнетронного напыления и подходы «мягкой химии», отличающиеся низкой энергозатратностью и экологичностью процессов.

Источник света со следующими характеристиками: яркость – не менее 5 лк, напряжение возбуждающего поля – не более 50 в при токе не более 50 мА, частота возбуждающего поля – не более 2 кГц.

Рис.1. Структурная схема электролюминесцентного источника.

Рис.2. Наноразмерные структуры селенида цинка, полученные методом термического испарения материала на пористые пленки оксида алюминия, после удаления матрицы.

Рис.3. внешний вид опытного образца на испытательном стенде.